新闻① ： NAND闪存价格2023Q2继续下滑，跌幅在5%至10%，是否止跌取决于下半年需求

虽然在过去的一段时间里，各大供应商不断减产，不过从服务器、智能手机到笔记本电脑等各个细分领域的需求都没有起色， NAND闪存依然处于供过于求的状态。

TrendForce发布的最新调查报告，显示今年第二季度里NAND闪存的平均价格将继续下滑，环比跌幅在5%至10%，后续供需平衡的关键在于是否会有更大规模的减产。如果目前市场需求不再减少，那么NAND闪存价格可能会在今年第四季度反弹，如果连旺季都持续疲软，反弹时间将延后。

在Client SSD上，目前PC OEM去库存化已初见成效，厂商开始为年中的相关促销备货。厂商选择继续清理PCIe 3.0产品库存，PCIe 4.0产品出货抬升并不明显，存在降价的压力。由于QLC产品在第一季度价格持续走低，使得TLC产品也下跌了，不过到了第二季度继续下探的空间有限，预计Client SSD的价格环比下跌5%至10%。Enterprise SSD的需求近期有所提升，不过仍存在供过于求的状况，第二季度的价格仍处于跌势。目前NAND闪存价格销售面临大幅度亏损，供应商议价幅度缩减，预计第二季度Enterprise SSD的价格环比下跌8%至13%。

原厂积极促销UFS大容量产品，刺激了客户提升产品搭载的容量，即便是旗舰机型的UFS 4.0，容量也在往上涨。智能手机零部件库存已逐渐恢复正常水平，UFS价格将加速跌入谷底，预计第二季度UFS的价格环比下跌8%至13%。NAND Flash Wafer方面，模组厂库存水位陆续恢复正常，在下半年SSD与闪存卡、U盘等产品需求将提振的预期心理下，有意逐步放大采购量建立低价库存。原厂放缓新制程转换和减少产量的做法初见成效，预计第二季度NAND Flash Wafer的价格与第一季度基本持平。

原文链接：https://m.expreview.com/87632.html

这几年固态硬盘价格是越来越香了，前几天我们都买到了500多块的PCIe 4.0 2T固态了。但这个价格很可能还不是底线，NAND闪存价格在本季度还将继续下滑，未来也可能还会继续。回想一下，好像这NAND闪存从18年左右开始跌就一直没停过，还真得谢谢国产颗粒的崛起，期待下一个领域尽快有国产入驻吧。

新闻 ② ： PCIe 5.0 SSD 推进缓慢，行业预测 2024 下半年才能普及

据 Tomshardware 报道，SSD 主控大厂群联的 CEO 潘建成预测，在未来 1 年多的时间内，PCIe 5.0 SSD 得不到普及，这种情况有望在 2024 下半年得到改变。

去年，AMD 在锐龙 7000 处理器的发布会上宣布 PCIe 5.0 SSD 将在 2022 年 11 月上市，然而直到今年 2 月份才有产品上市，国内电商平台只有技嘉大雕 510K 一款型号，读速 10000 MB/s，2TB 2699 元。

行业人士称，PCIe 5 SSD 的过渡比预期的要慢，可能与新技术成本增加有关。

目前，群联 PCIe 5 主控 E26 采用 12nm 技术制造，需要高规格的散热，一些 PCIe 5 SSD 配备了小风扇主动散热。预计在 2024 下半年之前，群联将推出迭代主控，减少 PCIe 5.0 SSD 散热压力，降低成本。

原文链接：https://m.ithome.com/html/681625.htm

再来一条旧闻，NAND闪存如此低迷的原因，很大程度上还是缺少新技术的刺激，上次SSD价格有大幅上涨的时候还是PCIe 4.0大范围普及的时候。现在，虽然有新的PCIe 5.0技术也已经普及，但在SSD上大规模普及应用可能还要很久……目前看来因为各种技术不成熟的原因，PCIe 5.0固态不论是速率还是能耗都还不算优秀，真正要得到这个新技术刺激NAND市场，可能还要很久吧。

新闻 ③ ：铠侠演示七级单元3D NAND闪存，将低温环境与新的硅工艺技术相结合

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，预计到2025年将达到175ZB。大量的数据呗存储在大容量的服务器和数据中心里，使用的是HDD和SSD，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展归功于三维方向上将存储单元堆叠更多的层数，同时一个存储单元里存储更多的比特数。

铠侠（Kioxia）宣布，成功演示了世界首个七级单元的3D NAND闪存。目前大规模生产的3D NAND闪存最多是四级单元，也就是大家熟悉的QLC 3D NAND闪存，这意味着新款3D NAND闪存几乎实现了容量上的翻倍。

早在两年前，铠侠就演示过低温状态下运行的六级单元HLC 3D NAND闪存。这一次铠侠将低温环境与新的硅工艺技术相结合，又向前迈进了一步。在七级单元的3D NAND闪存里，传统上存储单元晶体管通道使用的多晶硅被单晶硅所取代，在读取操作中，最多可减少三分之二的NAND闪存读取噪声量，并产生更为清晰的读取信号。

铠侠表示，新的存储架构将大大降低生产成本上，甚至提出了一种将七级单元3D NAND闪存与低温冷却相结合的解决方案，这比现在市场上采用风冷或被动散热的SSD更为便宜。铠侠还会继续开发低温存储器技术，以实现最低的单位成本，并在未来通过硅技术实现连续的单位成本缩放。

七级单元的3D NAND闪存并不是尽头，铠侠过去就曾展望过八级单元的OLC 3D NAND闪存。

原文链接：https://m.expreview.com/87694.html

这进步速度……这真的是进步吗？？我们的NAND已经经历了SLC、MLC、TLC和QLC，而此次凯侠展示的七级单元3D NAND要远比以上提到的都要先进。事实上，7Bit 3D NAND全名是Hepta Level Cell，与6Bit的简称同样是，不知道未来要怎么分辨。而且，看目前这几代的发展趋势，HLC应该也不会是性能向的发展模式……不过，这依旧是多代后的事情，目前凯侠展示的也并非未来的商用产品，或许与我们预期的不同呢？SSD总不会发展着发展着，发展成大号机械硬盘吧？

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